на 2024/11/20 44

2N2369 превключващ транзистор: Pinout, алтернативи и спецификации

Тази статия изследва Transistor 2N2369, известен със своята високоскоростна производителност и надеждност при превключване на електрониката.Ще разгледаме неговата конфигурация на ПИН, подробни спецификации и различни приложения.Дискусията включва също алтернативни транзистори и прозрения от производителите, подобрявайки нашето разбиране за това как 2N2369 взаимодейства с други електронни компоненти и влияе върху технологичния напредък.

Каталог

Какъв е транзисторът 2N2369?

The 2N2369 Transistor е силиконово планово епитаксиално NPN устройство, възхитено заради способността си да извършва SWIFT превключващи действия, включващи ниско напрежение на насищане и ефективна динамика на изключване.Неговата инженеринг го прави полезен в контексти, в които се търси запазване на мощността и постигането на бърза работа в редица електронни вериги.Отличен атрибут на транзистора 2N2369 е неговото владеене при извършване на високоскоростно превключване.Тази функция намира своята същност в приложения като импулсни усилватели, където бързите преходи между състоянията влязат в жизненост.Хармоничната смес от скорост и ефективност в един компонент представи инженерен пъзел, но този транзистор грациозно комбинира тези черти.

По време на експлоатацията ниското наситено напрежение на наситеността на 2N2369 ограничава разхищаването на мощност по време на работа, което се вписва безпроблемно в системи, които обхващат енергийната ефективност.Тази черта улеснява дълголетието на продължителното устройство и облекчава термичното напрежение в веригите, благодатта често се оценява в практическите разгръщания, изискващи енергийната чувствителност.Характеристиката на бързото изключване засилва способността на транзистора за високочестотни приложения.Чрез ограничаване на времето той остава активен, когато ненужните, веригите могат да поддържат страхотна ефективност и производителност.Сравними с усъвършенстваните автомобилни спирачни системи, които бързо реагират на команди на водача.Балансирането на ниската употреба на мощност със звездна производителност се превръща в фокусно начинание.Архитектурният финес на 2N2369 улеснява това, което го прави отличен избор за преносима електроника, където дълголетието на батерията е преобладаващ проблем.Бързото превключване на умението на 2N2369 е важна в рамките на високоскоростни цифрови рамки, като сигнални процесори и преобразуватели на данни.

Снимката по -долу показва вътрешната схематична диаграма на NPN транзистор, изобразяваща връзките между основата (B), колектора (C) и излъчвателя (E).

2N2369 ПИН конфигурация

2N2369 Символ и отпечатък

2N2369 Технически спецификации

Технически спецификации, характеристики и параметри на корпорацията Microsemi 2N2369A, заедно с компоненти, които споделят подобни спецификации.

Тип	Параметър
Състояние на жизнения цикъл	В производството (последно актуализирано: преди 1 месец)
Контакт за покритие	Олово, калай
Тип монтаж	През дупка
Брой щифтове	3
Напрежение на разрушаване на колекционера-емитър	15V
Работна температура	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Публикувано	2002
PBFree код	не
Ниво на чувствителност към влага (MSL)	1 (неограничен)
ECCN код	EAR99
Максимално разсейване на мощността	360MW
Терминална форма	Тел
Конфигурация	Единичен
Фабрично време за изпълнение	12 седмици
Монтиране	През дупка
Пакет / случай	To-206aa, до 18-3 метални консерви
Материал на транзисторен елемент	Силиций
Брой елементи	1
Опаковане	Насипно състояние
JESD-609 код	E0
Статус на част	Активен
Брой терминации	3
Терминални завършек	Калаена олово
Позиция на терминала	Отдолу
Брой на щифтовете	3
Разсейване на мощността	360MW
СВЪРЗВАНЕ НА СЛУЧАЙ	Колекционер
Тип полярност/канал	Npn
Напрежение на колекционерско емитер (VCEO)	15V
Текущо усилване на постоянен ток (HFE) (мин) @ IC, VCE	20 @ 100mA 1V
Преходна честота	500MHz
Емитор на основно напрежение (VEBO)	4.5V
Collector-Base Capacitance-Max	4pf
ROHS статус	Съвместим не-ROHS
Транзисторно приложение	Превключване
Транзисторен тип	Npn
Макс колектор ток	400ma
VCE насищане (max) @ IB, IC	450mv @ 10ma, 100ma
Напрежение на колекционера (VCBO)	40V
Vcesat-max	0,45V
Втвърдяване на радиация	Не
Олово безплатно	Съдържа олово

Характеристики на 2N2369

• Тип: Биполярен NPN транзистор, подходящ за универсални приложения.

• Макс колектор ток: 200ma, поддържащи умерени електрически товари.

• Напрежение на разрушаване на колекционера-емитър: 15V, идеален за проекти с ниска до умерена енергия.

• Натоварване на насищане (VCE): 450mv, което позволява енергийно ефективно превключване.

• Приложения: Използва се при усилване на сигнала, управление на малки мотори и високоскоростно превключване.

• Изпълнение: Бързото време за реакция подобрява ефективността на веригата при сценарии за бързо превключване.

• Инженерни ползи: Балансира теоретичните характеристики с надеждност за прецизни вериги.

• Гъвкавост: Адаптивен за иновативни дизайни в днешния развиващ се технологичен пейзаж.

• Ключови силни страни: Ефективност, адаптивност и годност за съвременните инженерни предизвикателства.

Приложения на 2N2369

Превключване с висока скорост

Известен със своите възможности за бързо превключване и ниско напрежение на насищане на колекционера-емитър, 2N2369 се отличава във високоскоростни превключващи контексти.Той действа като безпроблемен интерфейс между задвижващите механизми и контролни вериги.Този преход осигурява постоянна надеждност за чувствителни към времето задачи, подобряване на устойчивостта на системата.Подобна надеждност е високо ценена както в търговски, така и в индустриални условия.

Усилване на сигнала

2N2369 е предпочитан компонент в аудио и RF вериги, изискващи ниско усилване на шума.Използването му в усилвателите повишава яснотата на звука и сигналната вярност.Други разчитат на този транзистор, за да поддържат целостта на сигнала на разстояния, постигайки деликатен баланс между спецификации и практическа употреба.Това отразява текущия напредък в аудио и комуникационните технологии, където яснотата има значение.

Приложения в цифрови и аналогови системи

2N2369 е широко интегриран в съвременни цифрови и аналогови системи поради способността си да управлява разнообразни нива на ток и напрежение.Това е важен компонент в сложни системи като цифрови сигнални процесори и микроконтролери.Тези компоненти, проектирани с точност, позволяват на системите да извършват изчисления както бързо, така и точно.Повишените подобрения влияят на ефективността, подчертавайки внимателните дизайнерски съображения в електротехниката.

Въздействие върху изчислителните и телекомуникациите

В областта на изчислителните и телекомуникациите 2N2369 е неразделна част от основната архитектура, която подкрепя обработката и предаването на данни.Приносът му е важен за оптимизиране на потреблението на енергия и увеличаване на скоростта на обработка, за напредък в изчисленията от следващо поколение.Въпреки че повишаването на ефективността може да изглежда скромно поотделно, когато се прилагат в мрежите, те водят до забележителни напредвания, илюстрирайки широкото въздействие на подробните инженерни подобрения.

Заместители на транзистора 2N2369

• 2N2221

• 2N2222

• BC378

• BC378-6

• BC378-7

Алтернативи на 2N2369

Част	Сравнете	Производители	Категория	Описание
Jan2n2369a	Текуща част	Микросеми	Bjts	Trans GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN TO-18
Jantx2n2369a	Jan2n2369a срещу Jantx2n2369a	Микросеми	Bjts	Trans GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN TO-18
Jans2n2369a	Jan2n2369a срещу Jans2n2369a	Микросеми	Bjts	До 18 NPN 15V
2N2369A	Jan2n2369a срещу 2n2369aleadefree	Централен полупроводник		До 18 NPN 15V 0,2A

Размери на пакета за 2N2369

2N2369 Информация за производителя

Microsemi Corporation блести в разработването на сложни полупроводници и системни решения, съобразени за сектори като аерокосмически, отбранителни, комуникационни и центрове за данни.Техният иновативен дух е очевиден в сложността на техните високоефективни интегрални схеми (ICS), авангардни инструменти за управление на захранването и несравними сигурни мрежови решения.Акцентът на Microsemi върху високоефективните ICS подчертава техния ангажимент за удовлетворяване на техническите изисквания на съвременната електроника.Тези ICS се образуват за системи, нуждаещи се от точност и надеждност, особено в аерокосмическите и отбранителните настройки, където рисковете за отказ могат да бъдат значителни.Подобренията в ефективността и възможностите на комуникационните мрежи също са активирани от тези високоефективни ИК, подчертавайки текущите усилия в иновациите.Решенията за управление на захранването на Microsemi играят влиятелна роля в днешния енергиен пейзаж.Проектирани за увеличаване на използването на енергия, намаляване на неефективността и поддържане на оперативната ефективност, тези инструменти резонират силно в контекста на тежки данни на центровете за данни.Случвайки се като повече от техническа необходимост, ефективното управление на мощността предлага стратегическо предимство, което води до намалени разходи и насърчаване на устойчиви практики, които придобиват значение в корпоративното планиране.

DataSheet PDF

2N2222 таблици с данни:

2n22 (18-22) DataSheet.pdf