Виж всички

Моля, вижте английската версия като нашата официална версия.Връщане

France(Français) Germany(Deutsch) Italy(Italia) Russian(русский) Poland(polski) Czech(Čeština) Luxembourg(Lëtzebuergesch) Netherlands(Nederland) Iceland(íslenska) Hungarian(Magyarország) Spain(español) Portugal(Português) Turkey(Türk dili) Bulgaria(Български език) Ukraine(Україна) Greece(Ελλάδα) Israel(עִבְרִית) Sweden(Svenska) Finland(Svenska) Finland(Suomi) Romania(românesc) Moldova(românesc) Slovakia(Slovenská) Denmark(Dansk) Slovenia(Slovenija) Slovenia(Hrvatska) Croatia(Hrvatska) Serbia(Hrvatska) Montenegro(Hrvatska) Bosnia and Herzegovina(Hrvatska) Lithuania(lietuvių) Spain(Português) Switzerland(Deutsch) United Kingdom(English) Japan(日本語) Korea(한국의) Thailand(ภาษาไทย) Malaysia(Melayu) Singapore(Melayu) Vietnam(Tiếng Việt) Philippines(Pilipino) United Arab Emirates(العربية) Iran(فارسی) Tajikistan(فارسی) India(हिंदी) Madagascar(malaɡasʲ) New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português) United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
на 2023/09/1

Samsung стартира 12nm ниво 32GB DDR5 DRAM, поддържайки до 128 GB модули за памет

Според WCCFTECH, Samsung обяви старта на първото в света 32 GB DDR5 DRAM решение въз основа на 12nm технологията на процеса, което може да поддържа до 128 GB модули за памет.


Досега производителите на памет като SK Hynix и Micron са предоставили 24 GB DDR5 DRAM, която може да постигне разтвор на памет от 96 GB, но Samsung увеличи капацитета с 33,3% с 12Nm ниво на ниво.В същото време Micron също потвърди старта на 32GB DDR5 DRAM, но досега е пусната само пътна карта.

Samsung обяви старта на масовото производство на 12NM ниво 16GB DDR5 DRAM през май тази година.Новият 12nm ниво 32GB DDR5 DRAM се планира да започне масово производство в края на тази година.

Samsung заяви, че с 12NM ниво 32GB DRAM, решение, което може да постигне до 1TB DRAM модули, може да отговори на нарастващото търсене на DRAM с голям капацитет в ерата на изкуствения интелект.

Samsung разработи първата си драма от 64KB през 1983 г. и успешно увеличи капацитета си на DRAM с 500000 пъти през последните четиридесет години.

Най-новите продукти за памет на Samsung са разработени с помощта на авангардни процеси и технологии за подобряване на плътността на интеграцията и оптимизацията на дизайна.Те имат най -високия капацитет на единичния чип в индустрията и осигуряват два пъти капацитета от 16GB DDR5 DRAM в същия размер на опаковката.

Преди това DDR5 128GB DRAM модулите, произведени с помощта на 16GB DRAM, изискват използването на силиций чрез технология Hole (TSV).Сега, използвайки Samsung 32GB DRAM, 128 GB модули могат да бъдат произведени без използването на TSV технология, като същевременно намаляват консумацията на енергия с около 10% в сравнение с 128 GB модули, използвайки 16GB DRAM.Този технологичен пробив прави този продукт едно от най -добрите решения за съзнателни предприятия за енергийна ефективност, като центрове за данни.

Въз основа на 12nm ниво 32GB DDR5 DRAM, Samsung планира да продължи да разширява своя състав на DRAM с висок капацитет, за да отговори на настоящите и бъдещите нужди на индустрията за изчисления и ИТ.Samsung ще потвърди отново своята лидерска позиция на пазара на DRAM от следващото поколение, като предоставя 12 nm ниво 32 GB DRAM на клиентите в центрове за данни, изкуствен интелект и компютърни приложения от следващо поколение.
0 RFQ
Карта за пазаруване (0 Items)
Празно е.
Сравнете списъка (0 Items)
Празно е.
Обратна връзка

Вашите отзиви имат значение!В Allelco ценим потребителското изживяване и се стремим да го подобряваме постоянно.
Моля, споделете вашите коментари с нас чрез нашата форма за обратна връзка и ние ще отговорим незабавно.
Благодаря ви, че избрахте Allelco.

Предмет
Електронна поща
Коментари
Captcha
Плъзнете или щракнете, за да качите файл
Качи файл
типове: .xls, .xlsx, .doc, .docx, .jpg, .png и .pdf.
Макс. Размер на файла: 10MB