Технически спецификации 1N5401
Технически спецификации, атрибути, параметри и части SMC Diode Solutions - 1N5401 с подобни спецификации на SMC Diode Solutions - 1N5401
| Атрибут на продукта | Стойност на атрибут | |
|---|---|---|
| Производител | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако | 1.2 V @ 3 A | |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.) | 100 V | |
| технология | Standard | |
| Пакет на доставчик на устройства | DO-201AD | |
| скорост | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| серия | - | |
| Пакет / касета | DO-201AD, Axial |
| Атрибут на продукта | Стойност на атрибут | |
|---|---|---|
| Пакет | Tape & Box (TB) | |
| Работна температура - връзка | -65°C ~ 175°C | |
| Тип монтаж | Through Hole | |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr | 5 µA @ 100 V | |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io) | 3A | |
| Капацитет @ Vr, F | 30pF @ 0V, 1MHz | |
| Основен номер на продукта | 1N540 |
Трите части вдясно имат подобни спецификации на SMC Diode Solutions 1N5401.
| Атрибут на продукта |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| Номер на частта | 1N5401 | 1N5401 | 1N5401 | 1N5400-TP |
| Производител | SMC Diode Solutions | NTE Electronics, Inc | onsemi | Micro Commercial Co |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| Тип монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| скорост | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| серия | - | - | - | - |
| Пакет | Tape & Box (TB) | Bag | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Пакет на доставчик на устройства | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| Капацитет @ Vr, F | 30pF @ 0V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | - |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 50 V |
| Работна температура - връзка | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.) | 100 V | 100 V | 100 V | 50 V |
| Пакет / касета | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| технология | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Основен номер на продукта | 1N540 | - | 1N5401 | 1N5400 |
Изтеглете 1N5401 PDF таблици с данни и документация SMC Diode Solutions за 1N5401 - SMC Diode Solutions.
1N5401NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401onsemiDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5400-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
1N5401GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401-DIPMIC
1N5401GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 100V 3A1N5400GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
1N5401Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5401-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
1N5401-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5401GGood-Ark SemiconductorRECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS1N5400SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
1N5400GonsemiDIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL1N5400RLGonsemiDIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL1N5400-ADiodes Incorporated1N5400G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD1N5400GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD| Общи държави Логистично време за време | ||
|---|---|---|
| Регион | Държава | Логистично време (ден) |
| Америка | САЩ | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Обединеното кралство | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Нова Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Близкия изток | Израел | 6 |
| Справка за доставка на DHL & FedEx | |
|---|---|
| Такси за доставка (KG) | Справка DHL ($ USD) |
| 0,00kg-2.00kg | 30,00 USD - $ 60,00 |
| 1.00kg-2.00kg | $ 40,00 - $ 80,00 |
| 2.00kg-3.00kg | 50,00 USD - $ 100,00 USD |
Искате по -добра цена? Добавяне към CART и Изпратете RFQ СЕГА, ще се свържем с вас веднага.