Технически спецификации MBRD835
Технически спецификации, атрибути, параметри и части SMC Diode Solutions - MBRD835 с подобни спецификации на SMC Diode Solutions - MBRD835
| Атрибут на продукта | Стойност на атрибут | |
|---|---|---|
| Производител | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако | 510 mV @ 8 A | |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.) | 35 V | |
| технология | Schottky | |
| Пакет на доставчик на устройства | DPAK | |
| скорост | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| серия | - | |
| Пакет / касета | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Атрибут на продукта | Стойност на атрибут | |
|---|---|---|
| Пакет | Tape & Reel (TR) | |
| Работна температура - връзка | -55°C ~ 150°C | |
| Тип монтаж | Surface Mount | |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr | 1.4 mA @ 35 V | |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io) | - | |
| Капацитет @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz | |
| Основен номер на продукта | MBRD835 |
Трите части вдясно имат подобни спецификации на SMC Diode Solutions MBRD835.
| Атрибут на продукта |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| Номер на частта | MBRD835 | MBRD835L | MBRD835LG | MBRD835L-T |
| Производител | SMC Diode Solutions | onsemi | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated |
| Капацитет @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| Пакет / касета | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V |
| технология | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A |
| Пакет | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| серия | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io) | - | 8A | 8A | 8A |
| Работна температура - връзка | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| скорост | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.) | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| Тип монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Пакет на доставчик на устройства | DPAK | DPAK | DPAK | TO-252, (D-Pak) |
| Основен номер на продукта | MBRD835 | MBRD835 | - | MBRD835 |
Изтеглете MBRD835 PDF таблици с данни и документация SMC Diode Solutions за MBRD835 - SMC Diode Solutions.
MBRD660CTPBFElectro-Films (EFI) / Vishay
MBRD6U60CT-RTF/HKECMBRD660CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD835L-T4AMI Semiconductor/onsemiMBRD835LonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LGFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD660CTT4onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660LT1GAMI Semiconductor/onsemiMBRD835L-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 8A TO252MBRD835-G-T4SSMBRD835LT4onsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835L MOSAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTGFairchild SemiconductorSCHOTTKY POWER RECTIFIER, SWITCHMBRD660CTT4G B660TGAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTRLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660LT4GAMI Semiconductor/onsemiMBRD835LGonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LTAMI Semiconductor/onsemi| Общи държави Логистично време за време | ||
|---|---|---|
| Регион | Държава | Логистично време (ден) |
| Америка | САЩ | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Обединеното кралство | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Нова Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Близкия изток | Израел | 6 |
| Справка за доставка на DHL & FedEx | |
|---|---|
| Такси за доставка (KG) | Справка DHL ($ USD) |
| 0,00kg-2.00kg | 30,00 USD - $ 60,00 |
| 1.00kg-2.00kg | $ 40,00 - $ 80,00 |
| 2.00kg-3.00kg | 50,00 USD - $ 100,00 USD |
Искате по -добра цена? Добавяне към CART и Изпратете RFQ СЕГА, ще се свържем с вас веднага.